Semiconductor device



【課題】 ボンディングパッドの下方で発生するLow−k膜と他の膜との界面での剥離を簡便に抑制することのできる半導体装置を提供する。 【解決手段】 第2の層間絶縁膜4および第1のストッパ膜3を貫通するダミー配線12と、第3の層間絶縁膜6および第2のストッパ膜5を貫通するダミー配線13と、第4の層間絶縁膜8および第3のストッパ膜7を貫通するダミー配線14とを有する。第2の層間絶縁膜4、第3の層間絶縁膜6および第4の層間絶縁膜8はLow−k膜である。また、ダミー配線12,13,14は、ボンディングパッド10の下部領域であってその周辺部近傍に設けられるとともに、ダミー配線13は、ダミー配線12,14と多層配線構造の断面方向で重ならない位置に配置される。 【選択図】 図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of simply suppressing interface delamination between a Low-k film and other films generated in the lower part of a bonding pad. SOLUTION: The semiconductor device is provided with dummy wiring 12 which penetrates a second interlayer insulating film 4 and a first stopper film 3, dummy wiring 13 which penetrates a third interlayer insulating film 6 and a second stopper film 5, and dummy wiring 14 which penetrates a fourth interlayer insulating film 8 and a third stopper film 7. The second interlayer insulating film 4, the third interlayer insulating film 6, and the fourth interlayer insulating film 8 are Low-k films. Dummy wires 12, 13 and 14 are in the lower domain of a bonding pad 10 and provided in the vicinity of the periphery. The dummy wiring 13 is arranged in such a position that it does not overlap the dummy wirings 12 and 14 in the cross-sectional direction of multilayer interconnection structure. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI




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